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HSD278

产品描述0.03 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小28KB,共6页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HSD278概述

0.03 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

HSD278规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.3 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流0.2 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.03 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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HSD278
Silicon Schottky Barrier Diode
ADE-208-1015A (Z)
Rev.1
Jan. 2001
Features
Low forward voltage, Low capacitance.
Super small Flat Package (SFP) is suitable for surface mount design.
Ordering Information
Type No.
HSD278
Laser Mark
S1
Package Code
SFP
Outline
Cathode mark
Mark
1
S1
2
1. Cathode
2. Anode
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