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GS816019GT-250I: 产品描述Cache SRAM, 1MX18, 2ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小901KB，共29页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/; 标准

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GS816019GT-250I概述

Cache SRAM, 1MX18, 2ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	QFP
包装说明	LQFP,
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	2 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e3
长度	20 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	100
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	PURE MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

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