INA331IDGK放大器基础信息:
INA331IDGK是一款INSTRUMENTATION AMPLIFIER。常用的包装方式为PLASTIC, VSSOP-8
INA331IDGK放大器核心信息:
INA331IDGK的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。他的最大平均偏置电流为0.00001 µA而其最大的输入失调电流(IIO)则仅为0.00001 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,INA331IDGK的标称压摆率有5 V/us。厂商给出的INA331IDGK的最大压摆率为0.6 mA.其最大电压增益为1000,最小电压增益为5。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,INA331IDGK增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为2 MHz。
INA331IDGK的标称供电电压为5 V。而其供电电源的范围为:3/5 V。INA331IDGK的输入失调电压为500 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
INA331IDGK的相关尺寸:
INA331IDGK的宽度为:3 mm,长度为3 mmINA331IDGK拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为0.65 mm。共有针脚:8
INA331IDGK放大器其他信息:
其温度等级为:MILITARY。其对应的的JESD-30代码为:S-PDSO-G8。其对应的的JESD-609代码为:e4。INA331IDGK的封装代码是:TSSOP。INA331IDGK封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。
而其封装形状为SQUARE。INA331IDGK封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH。其端子形式有:GULL WING。座面最大高度为1.1 mm。
INA331IDGK放大器基础信息:
INA331IDGK是一款INSTRUMENTATION AMPLIFIER。常用的包装方式为PLASTIC, VSSOP-8
INA331IDGK放大器核心信息:
INA331IDGK的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。他的最大平均偏置电流为0.00001 µA而其最大的输入失调电流(IIO)则仅为0.00001 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,INA331IDGK的标称压摆率有5 V/us。厂商给出的INA331IDGK的最大压摆率为0.6 mA.其最大电压增益为1000,最小电压增益为5。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,INA331IDGK增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为2 MHz。
INA331IDGK的标称供电电压为5 V。而其供电电源的范围为:3/5 V。INA331IDGK的输入失调电压为500 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
INA331IDGK的相关尺寸:
INA331IDGK的宽度为:3 mm,长度为3 mmINA331IDGK拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为0.65 mm。共有针脚:8
INA331IDGK放大器其他信息:
其温度等级为:MILITARY。其对应的的JESD-30代码为:S-PDSO-G8。其对应的的JESD-609代码为:e4。INA331IDGK的封装代码是:TSSOP。INA331IDGK封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。
而其封装形状为SQUARE。INA331IDGK封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH。其端子形式有:GULL WING。座面最大高度为1.1 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | MSOP |
| 包装说明 | PLASTIC, VSSOP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Samacsys Description | Instrumentation Amplifiers Lo-Pwr Single Sply CMOS |
| 放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.00001 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 2 MHz |
| 最小共模抑制比 | 90 dB |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.00001 µA |
| 最大输入失调电压 | 500 µV |
| JESD-30 代码 | S-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 3 mm |
| 最大非线性 | 0.01% |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP8,.19 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 电源 | 3/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.1 mm |
| 标称压摆率 | 5 V/us |
| 最大压摆率 | 0.6 mA |
| 供电电压上限 | 7.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | NICKEL PALLADIUM GOLD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 最大电压增益 | 1000 |
| 最小电压增益 | 5 |
| 标称电压增益 | 25 |
| 宽度 | 3 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| INA331IDGK | INA331AIDGK | INA2331AIPW | |
|---|---|---|---|
| 描述 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 500uV OFFSET-MAX, 2MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, MSOP-8 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 1000uV OFFSET-MAX, 2MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, MSOP-8 | DUAL INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 1000uV OFFSET-MAX, 2MHz BAND WIDTH, PDSO14, PLASTIC, TSSOP-14 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | MSOP | MSOP | TSSOP |
| 包装说明 | PLASTIC, VSSOP-8 | PLASTIC, VSSOP-8 | PLASTIC, TSSOP-14 |
| 针数 | 8 | 8 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.00001 µA | 0.00001 µA | 0.00001 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 2 MHz | 2 MHz | 2 MHz |
| 最小共模抑制比 | 90 dB | 80 dB | 80 dB |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.00001 µA | 0.00001 µA | 0.00001 µA |
| 最大输入失调电压 | 500 µV | 1000 µV | 1000 µV |
| JESD-30 代码 | S-PDSO-G8 | S-PDSO-G8 | R-PDSO-G14 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 | e4 |
| 长度 | 3 mm | 3 mm | 5 mm |
| 最大非线性 | 0.01% | 0.01% | 0.01% |
| 功能数量 | 1 | 1 | 2 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP | TSSOP | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP8,.19 | TSSOP8,.19 | TSSOP14,.25 |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 电源 | 3/5 V | 3/5 V | 3/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.1 mm | 1.1 mm | 1.2 mm |
| 标称压摆率 | 5 V/us | 5 V/us | 5 V/us |
| 最大压摆率 | 0.6 mA | 0.6 mA | 0.6 mA |
| 供电电压上限 | 7.5 V | 7.5 V | 7.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | NICKEL PALLADIUM GOLD | NICKEL PALLADIUM GOLD | NICKEL PALLADIUM GOLD |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 最大电压增益 | 1000 | 1000 | 1000 |
| 最小电压增益 | 5 | 5 | 5 |
| 标称电压增益 | 25 | 25 | 25 |
| 宽度 | 3 mm | 3 mm | 4.4 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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