2SB507D概述

Transistor

2SB507D规格参数

	2SB507D	2SB508	2SB507	2SD313	2SD314
描述	Transistor	PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR FOR AF POWER AMPLIFIER USE	Transistor	Transistor	Transistor
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknown	unknown	unknown
最大集电极电流 (IC)	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A
配置	Single	Single	Single	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	60	40	40	40	40
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
最高工作温度	140 °C	140 °C	140 °C	140 °C	140 °C
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	30 W	30 W	30 W	30 W	30 W
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)	8 MHz	8 MHz	8 MHz	8 MHz	8 MHz
Objectid	101476899	-	1536742550	1536743555	101531468
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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