Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 49V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TO-220, 7 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | TO-220 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T7 |
| 针数 | 7 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas） | 2000 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR |
| 最小漏源击穿电压 | 49 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 80 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0095 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T7 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 7 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 320 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| BTS282ZE-3230 | BTS282ZE-3180A | |
|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 49V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TO-220, 7 PIN | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 49V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TO-220, 7 PIN |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | TO-220 | TO-220 |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T7 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G7 |
| 针数 | 7 | 7 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas） | 2000 mJ | 2000 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR |
| 最小漏源击穿电压 | 49 V | 49 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 80 A | 80 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0095 Ω | 0.0095 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T7 | R-PSSO-G7 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 7 | 7 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 320 A | 320 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 端子面层 | MATTE TIN | MATTE TIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
模拟电子
模拟与混合信号
医疗电子
嵌入式系统
能源基础设施
单片机
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
