EEPROM Module, 128KX32, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC68, SMD-68
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | QCCJ, LDCC68,1.0SQ |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 250 ns |
其他特性 | IT ALSO CONFIGURED AS 512K X 8 |
备用内存宽度 | 16 |
数据轮询 | YES |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | S-CQCC-J68 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 24.75 mm |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM MODULE |
内存宽度 | 32 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 68 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 128KX32 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | QCCJ |
封装等效代码 | LDCC68,1.0SQ |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | CHIP CARRIER |
页面大小 | 256 words |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
编程电压 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.08 mm |
最大待机电流 | 0.002 A |
最大压摆率 | 0.2 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
切换位 | YES |
宽度 | 24.75 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
写保护 | SOFTWARE |
Base Number Matches | 1 |
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