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2SA781K

产品描述SILICON PNP EPITAXIAL HIGH FREQUNCY AMPLIFIER
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小474KB,共4页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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2SA781K概述

SILICON PNP EPITAXIAL HIGH FREQUNCY AMPLIFIER

2SA781K规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压15 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)550 MHz
Base Number Matches1

2SA781K相似产品对比

2SA781K 2SA781
描述 SILICON PNP EPITAXIAL HIGH FREQUNCY AMPLIFIER SILICON PNP EPITAXIAL HIGH FREQUNCY AMPLIFIER

 
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