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5962-9207809HXA

产品描述SRAM Module, 512KX8, 20ns, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32
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文件大小125KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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5962-9207809HXA概述

SRAM Module, 512KX8, 20ns, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32

5962-9207809HXA规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间20 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T32
JESD-609代码e0
长度40.64 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
Base Number Matches1

5962-9207809HXA相似产品对比

5962-9207809HXA 5962-9207809HXC
描述 SRAM Module, 512KX8, 20ns, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32 SRAM Module, 512KX8, 20ns, CMOS, DIP-32
包装说明 DIP, DIP-32
Reach Compliance Code compliant unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 20 ns 20 ns
JESD-30 代码 R-CDIP-T32 R-XDIP-T32
JESD-609代码 e0 e4
长度 40.64 mm 40.64 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 32 32
字数 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
组织 512KX8 512KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED
封装代码 DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子面层 TIN LEAD GOLD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
宽度 15.24 mm 15.24 mm
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