电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

IS71V16F32BS08-8570BI

产品描述Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, MINI, BGA-73
产品类别存储    存储   
文件大小321KB,共48页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
下载文档 详细参数 全文预览

IS71V16F32BS08-8570BI概述

Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, MINI, BGA-73

IS71V16F32BS08-8570BI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码BGA
包装说明8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, MINI, BGA-73
针数73
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间85 ns
其他特性ALSO CONTAINS 512K X 16/1M X 8 SRAM
JESD-30 代码R-PBGA-B73
JESD-609代码e0
长度11.6 mm
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
混合内存类型FLASH+SRAM
功能数量1
端子数量73
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA73,10X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.053 mA
最大供电电压 (Vsup)3.3 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm
Base Number Matches1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 97  277  420  866  1647 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved