Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 934045090113

文档预览

934045090113: 产品描述DIODE 0.575 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, MSB026, 2 PIN, Signal Diode; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小77KB，共10页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

下载文档详细参数选型对比全文预览

934045090113概述

DIODE 0.575 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, MSB026, 2 PIN, Signal Diode

934045090113规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
包装说明	E-LALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	E-LALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	0.575 A
封装主体材料	GLASS
封装形状	ELLIPTICAL
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
参考标准	IEC-134
最大重复峰值反向电压	5000 V
最大反向恢复时间	0.35 µs
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

M3D354

BYX105G; BYX106G; BYX107G;

BYX108G

High-voltage soft-recovery

controlled avalanche rectifiers

Product speciﬁcation

Supersedes data of 1996 Oct 03

2000 Jan 13

934045090113相似产品对比

	934045090113	934045080113	934045090153	934045080153	934045110113	934045110153	BYX105GAMO	BYX108GAMO	934045100153	934045100113
描述	DIODE 0.575 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, MSB026, 2 PIN, Signal Diode	DIODE 0.65 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, MSB026, 2 PIN, Signal Diode	DIODE 0.575 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, MSB026, 2 PIN, Signal Diode	DIODE 0.65 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, MSB026, 2 PIN, Signal Diode	DIODE 0.34 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, MSB026, 2 PIN, Signal Diode	DIODE 0.34 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, MSB026, 2 PIN, Signal Diode	DIODE 0.65 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, MSB026, 2 PIN, Signal Diode	DIODE 0.34 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, MSB026, 2 PIN, Signal Diode	DIODE 0.48 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, MSB026, 2 PIN, Signal Diode	DIODE 0.48 A, 5000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS, MSB026, 2 PIN, Signal Diode
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
包装说明	E-LALF-W2	E-LALF-W2	E-LALF-W2	E-LALF-W2	E-LALF-W2	E-LALF-W2	O-LALF-W2	O-LALF-W2	E-LALF-W2	E-LALF-W2
针数	2	2	2	2	2	2	2	2	2	2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	E-LALF-W2	E-LALF-W2	E-LALF-W2	E-LALF-W2	E-LALF-W2	E-LALF-W2	O-LALF-W2	O-LALF-W2	E-LALF-W2	E-LALF-W2
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	2	2	2	2
最大输出电流	0.575 A	0.65 A	0.575 A	0.65 A	0.34 A	0.34 A	0.65 A	0.34 A	0.48 A	0.48 A
封装主体材料	GLASS	GLASS	GLASS	GLASS	GLASS	GLASS	GLASS	GLASS	GLASS	GLASS
封装形状	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL	ROUND	ROUND	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	5000 V	5000 V	5000 V	5000 V	5000 V	5000 V	5000 V	5000 V	5000 V	5000 V
最大反向恢复时间	0.35 µs	0.6 µs	0.35 µs	0.6 µs	0.05 µs	0.05 µs	0.6 µs	0.05 µs	0.175 µs	0.175 µs
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	-	-	175 °C	175 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-	-	-65 °C	-65 °C
参考标准	IEC-134	IEC-134	IEC-134	IEC-134	IEC-134	IEC-134	-	-	IEC-134	IEC-134

推荐资源

DA输出电压精度达不到: 使用的是LTC2668-12的芯片，输出电压范围是+-10V，把它分为1024份，按理讲0~1023中任意一个灰度值都对应不同的电压值，但是当灰度值大于200的时候会出现几个灰度值对应同一个电压值的情况，不过 ......; 有星星的天空 stm32/stm8

外包业务!: 会把WINDOWS软件移植到LINUX内运行的高手联系我!QQ:719551032...; squall1900 嵌入式系统

我想买电脑，不知道要怎样的需求: 我是个今年暑假大学毕业的，现在刚刚在一家企业公司上班，我是学电子商务的，我买台笔记本，但我对笔记本不是很了解，不知道怎么的配置好，我是搞编程的，想平日里写写程序，玩玩游戏，看看电影 ......; guhaian 嵌入式系统

矩阵键盘扫描法和线反转法的电路图有什么不同: 下面是线反转法的程序。。我把这个函数用在程序中但是运行起来出错了。高四位引脚总是保持在低电平。按了键也没反应这两个电路图的接法有什么不同啊。。 http://p1.tuzhan.com/200911/upn1/2 ......; leoyang 嵌入式系统

EEworld开发板流动站可借用开发板清单: 1号：Banana PI D1 数量：1 2号：微信官方BLE开发板数量：1 3号：nuedu-sdk-m451 数量：1 4号：大黄蜂开发板数量：1 5号：四色板组合开发平台- ......; okhxyyo 能源基础设施

Helper2416开发板移植minigui3.0.12之二：移植到开发板: 本帖最后由 Gyroxp 于 2015-1-25 11:51 编辑第二阶段：移植minigui到Helper2416开发板让开发板运行minigui要稍微麻烦一些，主要是配置时不能仅仅./configure就搞定，参考文章也不一定说 ......; Gyroxp 嵌入式系统

ABI Research评选出全球十大芯片制造商

　　ABI Research最近评选并公布了全球超高频无源和高频无源 RFID芯片的前十大制造商。　　前十大超高频无源芯片制造商是：　　　　前十大高频无源芯片制造商是：　　　　超高频的得奖名单并不出人意外，因为实际上似乎总是前三家公司获得大订单。ABI分析家 Mike Liard称，ABI很容易就评选出 Alien、Avery,和 Raflatac为全球...[详细]
AIM Global REG制定超高频RFID实施指南

　　【提要】 AIM Global RFID专家组面向RFID系统集成商和终端用户，制定出针对超高频RFID技术应用的实施指南；并将作为技术报告草案提交给ISO/IEC JTC1。　　【RFID射频快报2007年8月23日讯】近期，AIM Global REG小组（RFIDExperts Group，即RFID专家组）面向RFID系统集成商和终端用户，制定出针对超高频（UHF）RFID...[详细]
制药包装中的RFID和传感器技术

　　RFID和传感器技术可看作是用于制药包装的卡迪拉克。RFID技术用于制药包装加密可以真正地完全控制伪品，还可以提供治疗的语音指导。传感器可以监测医药品的温度和存储期。　　跟踪、保护和可回溯性给予制药包装前所未有的驱动力，这种新型包装机械和编码技术提高了病人的安全程度，改变医药企业供应链管理的方式。　　六月美国食品药品管理局（FDA）提出一项规定，对流通在医院和诊所的单位剂量的医药品实...[详细]
超高频RFID:以核心创优势以竞争促发展

近期，规模庞大、具有显著推广和示范作用的“北京市城市汽车环保检测RFID系统项目”由清华同方、先施科技联合竞投中标。本次竞标成功也意味着，国内超高频RFID品牌在与国际品牌的角逐中胜出。为此，RFID射频快报特别访问了深圳先施科技总经理冯建华先生，就国内与国际品牌各自的竞争优势以及国内品牌如何积极应对国际竞争的问题，与冯总进行了深入交流。　 RFID射频快报记者（以下简称RFID射频快报）：冯...[详细]
台湾晶圆厂登陆将进一步开放政策最快9月出台

　　马英九7月10日表示，晶圆厂赴大陆投资会进一步开放。这是否意味包括晶圆制程朝90纳米及十二英寸晶圆厂近期将可望解禁？台当局“经济部投审会”表示，“经济部”正在研议中，还未决定开放范围，预计八月会紧锣密鼓邀集相关单位及业者协商，晶圆产业进一步开放的具体政策最快九月才会宣布。　　据台湾中广新闻网报道，马英九支持对合理且必要的高科技业，进一步开放登陆投资。这番话被解读目前开放八英寸晶圆及0.1...[详细]
减小ADC量化噪声的技术

　　数模转换器(ADC)提供了许多系统中模拟信号到数字信号的重要转换。它们完成一个模拟输入信号到二元有限长度输出命令的振幅量化，范围通常在6到18b之间，是一个固有的非线性过程。该非线性特性表现为ADC二元输出中的宽带噪声，称作量化噪声，它限制了一个ADC的动态范围。本文描述了两种时下最流行的方法来改善实际ADC应用中的量化噪声性能：过采样和高频抖动。　　为理解量化噪声缩减法，首先让我们回顾一...[详细]
改变血压监测仪的外观

　　“tensymetry”这个词在《韦伯斯特词典》中没有解释，但在医学界却广为人知。由Tensys Medical Systems公司开发的tensymetry是一种使用生物机械、电气、软件工程的专有组合技术。利用这三种强大的技术，你可在手术室内对病人的心跳血压进行精确、连续、实时和非侵入性测量。　　该技术结出的果实就是该公司的T-line Tensymeter产品。该产品线的最新进展是去年...[详细]
佳能抢滩医疗可保持高增长

　　　“我们今年2月21日拿到中国市场医疗设备产品销售许可证，截至6月底，已经获得了200%的增长。”6月27日，佳能中国区医疗设备产品销售总经理关口三津夫告诉记者，今年初，其领导的中国区医疗部门才刚刚启动销售业务。　　去年末，佳能公司代表取缔役社长御手洗冨士夫首次将医疗业务列为打印、影像外的第三大支柱业务。截至2007财年末，佳能全球销售额中打印业务占据65%、影像业务占26%，而以医疗为...[详细]
数字信号处理芯片的发展和应用

　　数字信号处理作为信号和信息处理的一个分支学科，已渗透到科学研究、技术开发、工业生产、国防和国民经济的各个领域，取得了丰硕的成果。对信号在时域及变换域的特性进行分析、处理，能使我们对信号的特性和本质有更清楚的认识和理解，得到我们需要的信号形式，提高信息的利用程度，进而在更广和更深层次上获取信息。数字信号处理系统的优越性表现为：1.灵活性好：当处理方法和参数发生变化时，处理系统只需通过改变软件设计...[详细]
Cadence推出C-to-Silicon Compiler

2008 年 7 月 15 日 Cadence 设计系统公司宣布推出 Cadence® C-to-Silicon Compiler ，这是一种高阶综合产品，能够让设计师在创建和复用系统级芯片 IP 的过程中，将生产力提高 10 倍。 C-to-Silicon Compiler 中的创新技术成为沟通系统级模型之间的桥梁，它们通常是用 C/C++ 和 Syst...[详细]
英特尔面向嵌入式的双核处理器和高速芯片组

2008 年 7 月 15 日，英特尔公司推出面向嵌入式用户的英特尔 ® 酷睿™ 2 双核处理器 T9400 和移动式英特尔 ® GM45 高速芯片组，并提供长达 7 年的超长生命周期支持。本次推出的处理器和芯片组是全新英特尔 ® 迅驰 ® 2 平台的构成组件，可为移动应用程序带来更卓越的性能、更耐久的电池使用时间和广泛的无线网络互操作性。此外，今日推出的英特尔 ® 酷...[详细]
集成电路芯片研发是否已经奄奄一息？

　　Intermolecular和Semiconductor Research（SRC）公司预计将在本周举行的Semicon West展上，激起新的研发创新。Intermolecular公司将公布关于存储器研发的小规模生产， SRC描述了在模拟、能耗、医疗以及多核等方面的项目。他们报告的发布，正值人们对“半导体研发是否濒于灭亡”或“能够随着时代的前进而演进”两种观点进行激烈争论之际。　　每年...[详细]
TD-SCDMA射频测试解决方案

　　为确保中国TD-SCDMA网络规模商用的成功，运营商和设备供应商需要对入网设备进行大量的测试工作，其中射频测试尤为重要。安捷伦公司提供了符合3GPP 规范要求的TD-SCDMA 射频测试全面解决方案，并已广泛应用于各种基站、终端、直放站等设备测试中。下面将分别介绍应用于接收机测试、发射机测试（包括直放站测试）、射频一致性测试以及终端校准等方面的解决方案。 TD-SCDMA接收机性能...[详细]
英特尔45nm处理器和芯片组助力嵌入式

　　日前，英特尔公司推出面向嵌入式用户的英特尔酷睿2双核处理器 T9400和移动式英特尔GM45 高速芯片组，并提供长达7年的超长生命周期支持。本次推出的处理器和芯片组是全新英特尔迅驰2 平台的构成组件，可为移动应用程序带来更卓越的性能、更耐久的电池使用时间和广泛的无线网络互操作性。此外，今日推出的英特尔酷睿2 双核处理器 T9400经验证可支持英特尔5100 内存控制器中枢（MCH）芯片组，并...[详细]
牛津半导体推高度集成的NAS和RAID平台

　　2008年7月21日-牛津半导体推出最新存储平台，提供数字生活方式可靠，稳健的存储系统连接。　　牛津半导体推出了高度集成的OXE810x NAS平台，旨在桥接以太网(Ethernet)和多达两个SATA 硬盘。该公司还推出了OXUFS936x的RAID平台，为直接附加储存装置(DAS)提供至SATA调制解调器储存与整合硬件RAID控制器还原装置的通用接口(即USB2.0/FireWire...[详细]

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

随便看看