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IS61LV5128AL-10K: 产品描述Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, MS-027, SOJ-36; 产品类别存储存储; 文件大小101KB，共13页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS61LV5128AL-10K概述

Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, MS-027, SOJ-36

IS61LV5128AL-10K规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	SOJ
包装说明	0.400 INCH, PLASTIC, MS-027, SOJ-36
针数	36
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
Factory Lead Time	12 weeks
最长访问时间	10 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J36
JESD-609代码	e0
长度	23.495 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	36
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ36,.44
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.75 mm
最大待机电流	0.015 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

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IS61LV5128AL

512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

ISSI

APRIL 2005

FEATURES

• High-speed access times:

10, 12 ns

• High-performance, low-power CMOS process

• Multiple center power and ground pins for

greater noise immunity

• Easy memory expansion with

and

options

•

power-down

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• TTL compatible inputs and outputs

• Single 3.3V power supply

• Packages available:

– 36-pin 400-mil SOJ

– 36-pin miniBGA

– 44-pin TSOP (Type II)

• Lead-free available

DESCRIPTION

The

ISSI

IS61LV5128AL is a very high-speed, low power,

524,288-word by 8-bit CMOS static RAM. The

IS61LV5128AL is fabricated using

ISSI

's high-perform-

ance CMOS technology. This highly reliable process

coupled with innovative circuit design techniques, yields

higher performance and low power consumption devices.

When

is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down to 250 µW (typical) with CMOS input levels.

The IS61LV5128AL operates from a single 3.3V power

supply and all inputs are TTL-compatible.

The IS61LV5128AL is available in 36-pin 400-mil SOJ, 36-

pin mini BGA, and 44-pin TSOP (Type II) packages.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

A0-A18

DECODER

512K X 8

MEMORY ARRAY

GND

I/O

DATA

CIRCUIT

I/O0-I/O7

COLUMN I/O

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

CONTROL

CIRCUIT

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —

1-800-379-4774

Rev. C

04/15/05

IS61LV5128AL-10K相似产品对比

	IS61LV5128AL-10K	IS61LV5128AL-10KLI	IS61LV5128AL-10TLI-TR	IS61LV5128AL-10TI	IS61LV5128AL-10T	IS61LV5128AL-10BLI	IS61LV5128AL-10BI	IS61LV5128AL-10BI-TR
描述	Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, MS-027, SOJ-36	Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, MS-027, SOJ-36	Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44	512KX8 STANDARD SRAM, 10ns, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44	512KX8 STANDARD SRAM, 10ns, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44	Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PBGA36, 8 X 10 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-36	Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PBGA36, 8 X 10 MM, MINI, BGA-36	Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PBGA36, 8 X 10 MM, MINI, BGA-36
是否无铅	含铅	不含铅	不含铅	含铅	含铅	不含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	不符合	不符合	符合	不符合	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	SOJ	SOJ	TSOP2	TSOP2	TSOP2	BGA	BGA	BGA
包装说明	0.400 INCH, PLASTIC, MS-027, SOJ-36	0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, MS-027, SOJ-36	LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44	PLASTIC, TSOP2-44	PLASTIC, TSOP2-44	8 X 10 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-36	8 X 10 MM, MINI, BGA-36	8 X 10 MM, MINI, BGA-36
针数	36	36	44	44	44	36	36	36
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	unknown	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J36	R-PDSO-J36	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PBGA-B36	R-PBGA-B36	R-PBGA-B36
JESD-609代码	e0	e3	e3	e0	e0	e1	e0	e0
长度	23.495 mm	23.495 mm	18.415 mm	18.415 mm	18.415 mm	10 mm	10 mm	10 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	36	36	44	44	44	36	36	36
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.75 mm	3.75 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD
端子形式	J BEND	J BEND	GULL WING	GULL WING	GULL WING	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	40	40	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	40	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	8 mm	8 mm	8 mm
I/O 类型	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	-
输出特性	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-
封装等效代码	SOJ36,.44	SOJ36,.44	-	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	BGA36,6X8,30	BGA36,6X8,30	-
电源	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-
最大待机电流	0.015 A	0.02 A	-	0.02 A	0.015 A	0.02 A	0.02 A	-
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	-	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V	-
最大压摆率	0.09 mA	0.095 mA	-	0.095 mA	0.09 mA	0.095 mA	0.095 mA	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	-

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