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3SK268

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, S-MINI PACKAGE-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小65KB,共1页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
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3SK268概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, S-MINI PACKAGE-4

3SK268规格参数

参数名称属性值
厂商名称Panasonic(松下)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
最小漏源击穿电压15 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.03 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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