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2SA1217

产品描述SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小97KB,共2页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SA1217概述

SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)

2SA1217规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)3 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-609代码e0
最高工作温度175 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)10 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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