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BAV70WE6327

产品描述Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小88KB,共4页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BAV70WE6327概述

Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon

BAV70WE6327规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流4.5 A
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最大反向电流2.5 µA
最大反向恢复时间0.006 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

BAV70WE6327相似产品对比

BAV70WE6327 BAV70WE6433
描述 Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon
厂商名称 SIEMENS SIEMENS
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.25 V 1.25 V
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流 4.5 A 4.5 A
元件数量 2 2
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
最大输出电流 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.25 W 0.25 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大反向电流 2.5 µA 2.5 µA
最大反向恢复时间 0.006 µs 0.006 µs
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1
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