Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IDT71V416S15BEI8

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IDT71V416S15BEI8: 产品描述Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小97KB，共9页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT71V416S15BEI8概述

Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48

IDT71V416S15BEI8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA48,6X8,30
针数	48
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	15 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B48
JESD-609代码	e0
长度	9 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	4
功能数量	1
端子数量	48
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.02 A
最小待机电流	3 V
最大压摆率	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	9 mm
Base Number Matches	1

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3.3V CMOS Static RAM

4 Meg (256K x 16-Bit)

Features

256K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM

JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise.

Equal access and cycle times

– Commercial and Industrial: 10/12/15ns

One Chip Select plus one Output Enable pin

Bidirectional data inputs and outputs directly

LVTTL-compatible

Low power consumption via chip deselect

Upper and Lower Byte Enable Pins

Single 3.3V power supply

Available in 44-pin, 400 mil plastic SOJ package and a 44-

pin, 400 mil TSOP Type II package and a 48 ball grid array,

9mm x 9mm package.

IDT71V416S

IDT71V416L

Description

The IDT71V416 is a 4,194,304-bit high-speed Static RAM organized

as 256K x 16. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability

CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with inno-

vative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high-

speed memory needs.

The IDT71V416 has an output enable pin which operates as fast as

5ns, with address access times as fast as 10ns. All bidirectional inputs and

outputs of the IDT71V416 are LVTTL-compatible and operation is from a

single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring

no clocks or refresh for operation.

The IDT71V416 is packaged in a 44-pin, 400 mil Plastic SOJ and a

44-pin, 400 mil TSOP Type II package and a 48 ball grid array, 9mm x

9mm package.

Functional Block Diagram

Output

Enable

Buffer

A0 - A17

Address

Buffers

Row / Column

Decoders

Chip

Select

Buffer

Sense

Amps

and

Write

Drivers

High

Byte

Output

Buffer

High

Byte

Write

Buffer

I/O 15

I/O 8

4,194,304-bit

Memory

Array

Write

Enable

Buffer

Low

Byte

Output

Buffer

Low

Byte

Write

Buffer

I/O 7

I/O 0

BHE

Byte

Enable

Buffers

BLE

3624 drw 01

AUGUST 2000

DSC-3624/04

IDT71V416S15BEI8相似产品对比

	IDT71V416S15BEI8	IDT71V416S10BE	IDT71V416L15BE8	IDT71V416L15BEI8	PTN1010K2701JGT0	IDT71V416S12BEI8	IDT71V416S12BE8	IDT71V416S15BE8
描述	Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48	Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48	Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48	Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48	Fixed Resistor, Thin Film, 0.5W, 2700ohm, 150V, 5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 1010, CHIP	Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48	Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48	Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	TFBGA, BGA48,6X8,30	BGA, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30	CHIP	TFBGA, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	EAR99	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e4	e0	e0	e0
端子数量	48	48	48	48	2	48	48	48
最高工作温度	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	155 °C	85 °C	70 °C	70 °C
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMT	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	THIN FILM	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	-	含铅	含铅	含铅
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	-	BGA	BGA	BGA
针数	48	48	48	48	-	48	48	48
最长访问时间	15 ns	10 ns	15 ns	15 ns	-	12 ns	12 ns	15 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B48	S-PBGA-B48	S-PBGA-B48	S-PBGA-B48	-	S-PBGA-B48	S-PBGA-B48	S-PBGA-B48
长度	9 mm	9 mm	9 mm	9 mm	-	9 mm	9 mm	9 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	-	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	-	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16	16	16	-	16	16	16
湿度敏感等级	4	4	4	4	-	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	-	1	1	1
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	-	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	-	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
组织	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16	-	256KX16	256KX16	256KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	BGA	TFBGA	TFBGA	-	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	-	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	-	SQUARE	SQUARE	SQUARE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	-	225	225	225
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	-	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.02 A	0.02 A	0.01 A	0.01 A	-	0.02 A	0.02 A	0.02 A
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最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	-	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	-	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	-	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	-	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	-	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	-	20	20	20
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Base Number Matches	1	1	1	1	-	1	-	-
厂商名称	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)

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