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5962R9664602VXC

产品描述4000/14000/40000 SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, CDFP14, CERAMIC, FP-14
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小116KB,共24页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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5962R9664602VXC概述

4000/14000/40000 SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, CDFP14, CERAMIC, FP-14

5962R9664602VXC规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DFP
包装说明DFP, FL14,.3
针数14
Reach Compliance Codeunknown
系列4000/14000/40000
JESD-30 代码R-CDFP-F14
JESD-609代码e4
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型XOR GATE
最大I(ol)0.00064 A
功能数量4
输入次数2
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装等效代码FL14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
电源5/15 V
Prop。Delay @ Nom-Sup378 ns
传播延迟(tpd)378 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
最大供电电压 (Vsup)18 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
总剂量100k Rad(Si) V
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
A
DESCRIPTION
Changes in accordance with NOR 5962-R199-97.
DATE (YR-MO-DA)
97-02-28
APPROVED
Monica L. Poelking
B
Changes in accordance with NOR 5962-R426-97.
97-08-08
Raymond Monnin
C
Incorporate revisions A and B. Update boilerplate to MIL-PRF-38535
requirements. Editorial changes throughout. – LTG
03-07-02
Thomas M. Hess
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
C
15
C
16
C
17
C
18
REV
SHEET
PREPARED BY
Larry T. Gauder
C
19
C
20
C
21
C
1
C
22
C
2
C
23
C
3
C
4
C
5
C
6
C
7
C
8
C
9
C
10
C
11
C
12
C
13
C
14
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
CHECKED BY
Monica L. Poelking
APPROVED BY
Monica L. Poelking
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43216
http://www.dscc.dla.mil
DRAWING APPROVAL DATE
95-12-07
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION
HARDENED CMOS, QUAD EXCLUSIVE OR GATE,
MONOLITHIC SILICON
AMSC N/A
REVISION LEVEL
SIZE
CAGE CODE
C
A
SHEET
67268
1 OF
23
5962-96646
DSCC FORM 2233
APR 97
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.
5962-E435-03

5962R9664602VXC相似产品对比

5962R9664602VXC 5962R9664602VCC 5962R9664601VXC 5962R9664601V9A 5962R9664601VCC 5962R9664602V9A
描述 4000/14000/40000 SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, CDFP14, CERAMIC, FP-14 4000/14000/40000 SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 4000/14000/40000 SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, CDFP14, CERAMIC, DFP-14 4000/14000/40000 SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, UUC14 4000/14000/40000 SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 4000/14000/40000 SERIES, QUAD 2-INPUT XOR GATE, UUC14
零件包装代码 DFP DIP DFP DIE DIP DIE
包装说明 DFP, FL14,.3 DIP, DIP14,.3 DFP, FL14,.3 DIE, DIE OR CHIP DIP, DIP14,.3 DIE,
针数 14 14 14 14 14 14
Reach Compliance Code unknown unknow unknown unknown compliant unknown
系列 4000/14000/40000 4000/14000/40000 4000/14000/40000 4000/14000/40000 4000/14000/40000 4000/14000/40000
JESD-30 代码 R-CDFP-F14 R-CDIP-T14 R-CDFP-F14 X-XUUC-N14 R-CDIP-T14 X-XUUC-N14
JESD-609代码 e4 e4 e4 e0 e4 e0
逻辑集成电路类型 XOR GATE XOR GATE XOR GATE XOR GATE XOR GATE XOR GATE
功能数量 4 4 4 4 4 4
输入次数 2 2 2 2 2 2
端子数量 14 14 14 14 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED
封装代码 DFP DIP DFP DIE DIP DIE
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR UNSPECIFIED RECTANGULAR UNSPECIFIED
封装形式 FLATPACK IN-LINE FLATPACK UNCASED CHIP IN-LINE UNCASED CHIP
传播延迟(tpd) 378 ns 378 ns 378 ns 378 ns 378 ns 378 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V
最大供电电压 (Vsup) 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO YES YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 GOLD GOLD GOLD TIN LEAD GOLD TIN LEAD
端子形式 FLAT THROUGH-HOLE FLAT NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL UPPER DUAL UPPER
总剂量 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF -
最大I(ol) 0.00064 A 0.00064 A 0.00064 A 0.00064 A 0.00064 A -
封装等效代码 FL14,.3 DIP14,.3 FL14,.3 DIE OR CHIP DIP14,.3 -
电源 5/15 V 5/15 V 5/15 V 5/15 V 5/15 V -
Prop。Delay @ Nom-Sup 378 ns - 378 ns 378 ns 378 ns -
施密特触发器 NO NO NO NO NO -
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm - 2.54 mm -
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