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HY57V161610DTC-10S

产品描述Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50
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文件大小840KB,共28页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY57V161610DTC-10S概述

Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50

HY57V161610DTC-10S规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2,
针数50
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G50
JESD-609代码e6
长度20.95 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量50
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

HY57V161610DTC-10S相似产品对比

HY57V161610DTC-10S HY57V161610DLTC-8 HY57V161610DTC-10P HY57V161610DLTC-10P HY57V161610DLTC-10S HY57V161610DLTC-10
描述 Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50 Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50 Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50 Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50 Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50 Synchronous DRAM, 1MX16, 8ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
包装说明 TSOP2, TSOP2, TSOP2, TSOP2, TSOP2, TSOP2,
针数 50 50 50 50 50 50
Reach Compliance Code unknown unknow unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns 8 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G50 R-PDSO-G50 R-PDSO-G50 R-PDSO-G50 R-PDSO-G50 R-PDSO-G50
JESD-609代码 e6 e6 e6 e6 e6 e6
长度 20.95 mm 20.95 mm 20.95 mm 20.95 mm 20.95 mm 20.95 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bi 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 50 50 50 50 50 50
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16 1MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN BISMUTH TIN BISMUTH
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 -
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