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5962-0520804QYC: 产品描述Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS; 产品类别存储存储; 文件大小455KB，共14页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com; 标准

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5962-0520804QYC概述

Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS

5962-0520804QYC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microchip(微芯科技)
包装说明	DFP, FL36,.5
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	15 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDFP-F36
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	36
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DFP
封装等效代码	FL36,.5
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3 V
认证状态	Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class Q
座面最大高度	3.05 mm
最大待机电流	0.0015 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	FLAT
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	12.195 mm
Base Number Matches	1

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Features

•

Operating Voltage: 3.3V

•

Access Time:

•

– 15 ns

Very Low Power Consumption

– Active: 650 mW (Max) @ 15 ns, 540 mW (Max) @ 25 ns

– Standby: 3.3 mW (Typ)

Wide Temperature Range: -55 to +125⋅C

TTL-Compatible Inputs and Outputs

Asynchronous

Designed on 0.25 µm Radiation Hardened Process

No Single Event Latch Up below LET Threshold of 80 MeV/mg/cm

@125°C

Tested up to a Total Dose of 300 krads (Si) according to MIL-STD-883 Method 1019

500 Mils Wide FP36 Package

ESD better than 4000V

Quality Grades:

– QML-Q or V

– ESCC

Rad Hard

512K x 8

Very Low Power

CMOS SRAM

AT60142H

Description

The AT60142H is a very low power CMOS static RAM organized as 524 288 x 8 bits.

Atmel brings the solution to applications where fast computing is as mandatory as low

consumption, such as aerospace electronics, portable instruments, or embarked

systems.

Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells, the AT60142H combines an

extremely low standby supply current (Typical value = 1 mA) with a fast access time at

15 ns or better over the full military temperature range. The high stability of the 6T cell

provides excellent protection against soft errors due to noise.

The AT60142H is processed according to the methods of the latest revision of the MIL

PRF 38535 or ESCC 9000.

It is produced on a radiation hardened 0.25 µm CMOS process.

7834C–AERO–11/13

5962-0520804QYC相似产品对比

	5962-0520804QYC	5962R0520804VYC	AT60142H-DS15-SCC
描述	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDFP36
厂商名称	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)	Microchip(微芯科技)
包装说明	DFP, FL36,.5	DFP, FL36,.5	0.500 INCH, DFP-36
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	15 ns	15 ns	15 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDFP-F36	R-XDFP-F36	R-PDFP-F36
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8
功能数量	1	1	1
端子数量	36	36	36
字数	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DFP	DFP	DFP
封装等效代码	FL36,.5	FL36,.5	FL36,.5
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Qualified	Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class Q	MIL-STD-883 Class V	MIL-STD-883 Class S
座面最大高度	3.05 mm	3.05 mm	3.05 mm
最大待机电流	0.0015 A	0.0015 A	0.0015 A
最小待机电流	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	0.18 mA	0.18 mA	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	12.195 mm	12.195 mm	12.195 mm
是否Rohs认证	符合	-	不符合
Base Number Matches	1	1	-

5962-0520804QYC

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