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ID106

产品描述SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),500MA I(T),TO-18
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小116KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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ID106概述

SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),500MA I(T),TO-18

可控硅整流器,200V V(DRM),500MA I(T),TO-18

ID106规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codecompli
其他特性HIGH RELIABILITY
标称电路换相断开时间15 µs
配置SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率1.8 V/us
最大直流栅极触发电流0.2 mA
最大直流栅极触发电压0.8 V
最大维持电流5 mA
JEDEC-95代码TO-18
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
最大漏电流0.1 mA
通态非重复峰值电流30 A
元件数量1
端子数量3
最大通态电流500 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流0.3925 A
重复峰值关态漏电流最大值100 µA
断态重复峰值电压400 V
重复峰值反向电压400 V
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

ID106相似产品对比

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描述 SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),500MA I(T),TO-18 SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),500MA I(T),TO-18 SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),500MA I(T),TO-18 SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),500MA I(T),TO-18 SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),500MA I(T),TO-18 SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),500MA I(T),TO-18 SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),500MA I(T),TO-18
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code compli unknow compli unknow compli compli compli
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
标称电路换相断开时间 15 µs 8 µs 8 µs 8 µs 8 µs 8 µs 15 µs
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最大直流栅极触发电流 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA
最大直流栅极触发电压 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V
最大维持电流 5 mA 5 mA 5 mA 5 mA 5 mA 5 mA 5 mA
JEDEC-95代码 TO-18 TO-18 TO-18 TO-18 TO-18 TO-18 TO-18
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大均方根通态电流 0.3925 A 0.785 A 0.785 A 0.785 A 0.785 A 0.785 A 0.3925 A
重复峰值关态漏电流最大值 100 µA 50 µA 50 µA 50 µA 50 µA 50 µA 100 µA
断态重复峰值电压 400 V 30 V 100 V 60 V 200 V 150 V 300 V
重复峰值反向电压 400 V 30 V 100 V 60 V 200 V 150 V 300 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 - CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 - CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Base Number Matches 1 - 1 - 1 1 1
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