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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N4448W-G
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1N4448W-G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小263KB，共3页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
标准
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1N4448W-G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2

1N4448W-G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-G2
Reach Compliance Codeunknow
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.25 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压75 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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W-G
  

                  

 



 

  

   

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SOD-123
 

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RoHS
     
 
     
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221 West Industry Court
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Deer Park, NY 11729-4681
!
(631) 586-7600 FAX (631) 242-9798
•
•
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com
•
E-Mail Address - sales@sensitron.com
•

1N4448W-G相似产品对比

1N4448W-G
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2
是否Rohs认证 符合
包装说明 R-PDSO-G2
Reach Compliance Code unknow
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
最大输出电流 0.25 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.5 W
认证状态 Not Qualified
最大重复峰值反向电压 75 V
最大反向恢复时间 0.004 µs
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1

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