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GL41M-HE3

产品描述DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小326KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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GL41M-HE3概述

DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Diode

GL41M-HE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码DO-213AB
包装说明O-PELF-R2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JEDEC-95代码DO-213AB
JESD-30 代码O-PELF-R2
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
表面贴装YES
端子面层TIN SILVER
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间40
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