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DS2219-150

产品描述DRAM Module, 1MX9, 150ns, CMOS, SIMM-30
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文件大小287KB,共13页
制造商DALLAS
官网地址http://www.dalsemi.com
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DS2219-150概述

DRAM Module, 1MX9, 150ns, CMOS, SIMM-30

DS2219-150规格参数

参数名称属性值
包装说明SIMM-30
Reach Compliance Codeunknown
访问模式FAST PAGE
最长访问时间150 ns
JESD-30 代码R-XSMA-N30
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型DRAM MODULE
内存宽度9
功能数量1
端口数量1
端子数量30
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX9
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SIM30
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.015 A
最大压摆率0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距2.54 mm
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

DS2219-150相似产品对比

DS2219-150 DS2219-120
描述 DRAM Module, 1MX9, 150ns, CMOS, SIMM-30 DRAM Module, 1MX9, 120ns, CMOS, SIMM-30
包装说明 SIMM-30 SIMM-30
Reach Compliance Code unknown unknown
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 150 ns 120 ns
JESD-30 代码 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30
内存密度 9437184 bit 9437184 bit
内存集成电路类型 DRAM MODULE DRAM MODULE
内存宽度 9 9
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 30 30
字数 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 1MX9 1MX9
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 SIMM SIMM
封装等效代码 SIM30 SIM30
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.015 A 0.015 A
最大压摆率 0.015 mA 0.015 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 SINGLE SINGLE
Base Number Matches 1 1
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