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1N4148W-G-N0RBG

产品描述0.15A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小96KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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1N4148W-G-N0RBG概述

0.15A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE,

1N4148W-G-N0RBG规格参数

参数名称属性值
包装说明R-PDSO-G2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.35 W
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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1N4148W-G
Taiwan Semiconductor
Small Signal Product
High Speed SMD Switching Diode
FEATURES
- Fast switching device (t
rr
<4.0ns)
- Surface mount device type
- Moisture sensitivity level 1
- Matte Tin (Sn) lead finish with Nickel (Ni) underplate
- Pb free and RoHS compliant
- Green compound (Halogen free) with suffix "G" on
packing code and prefix "G" on date code
SOD-123
MECHANICAL DATA
- Case: Bend lead SOD-123 small outline plastic package
- Terminal: Matte tin plated, lead free, solderable
per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
- High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s
- Polarity: Indicated by cathode band
- Weight: 10 ± 0.5 mg
- Marking Code: T4
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Power dissipation
DC blocking voltage
Repetitive peak reverse voltage
Work peak reverse voltage
RMS reverse voltage
Repetitive peak forward current
Mean forward current
Non-repetitive peak forward surge current @ t=1ms
@ t=10ms
Thermal resistance (Junction to Ambient) (Note 1)
Junction and storage temperature range
PARAMETER
I
F
=1.0mA
Forward voltage
I
F
=10mA
I
F
=50mA
I
F
=150mA
V
R
=20V
Reverse leakage current
V
R
=75V
V
R
=25V, Tj=150℃
V
R
=75V, Tj=150℃
Junction capacitance
Reverse recovery time
V
R
=0, f=1.0MHz
(Note 2)
C
J
Trr
I
R
V
F
SYMBOL
P
D
V
R
V
RRM
V
RWM
V
R(RMS)
I
FRM
I
O
I
FSM
R
θJA
T
J
, T
STG
SYMBOL
MIN
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
VALUE
350
100
100
100
70
300
150
2.0
1.0
357
-65 to + 150
MAX
0.715
0.855
1.0
1.25
25
2.5
30
50
2.0
4.0
nA
µA
µA
µA
pF
ns
V
o
UNIT
mW
V
V
V
V
mA
mA
A
C/W
o
C
UNIT
Notes: 1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature
Notes: 2. Reverse Recovery Test Conditions : I
F
=10mA, I
R
=10mA, R
L
=100Ω, I
RR
=1mA
Document Number: DS_S1403004
Version: B14

1N4148W-G-N0RBG相似产品对比

1N4148W-G-N0RBG 1N4148W-G-N0RB
描述 0.15A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, 0.15A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE,
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 0.15 A 0.15 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.35 W 0.35 W
最大重复峰值反向电压 100 V 100 V
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1

 
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