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UPA869TDFB-A

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, M16, 1208, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小66KB,共6页
制造商NEC(日电)
标准
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UPA869TDFB-A概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, M16, 1208, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6

UPA869TDFB-A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.04 A
基于收集器的最大容量0.4 pF
集电极-发射极最大电压5 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e6
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN BISMUTH
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)18000 MHz
Base Number Matches1

UPA869TDFB-A相似产品对比

UPA869TDFB-A 3FAI-NLSJ-C65W0 UPA869TDFB UPA869TDFB-T3-A UPA869TDFB-T3 UPA869TD-T3 BTS7120-2EPA
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, M16, 1208, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6 RF Connector, 1 Contact(s), Jack RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, M16, 1208, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, M16, 1208, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, M16, 1208, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN, LEADLESS MINIMOLD, M16, 1208, 6 PIN PROFET™2 12V 2x 120 mΩ Smart High-Side Power Switch
是否Rohs认证 符合 - 不符合 符合 不符合 - -
厂商名称 NEC(日电) - NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) - -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 LEADLESS MINIMOLD, M16, 1208, 6 PIN -
针数 6 - 6 6 6 - -
Reach Compliance Code compliant unknown compliant compliant compliant unknown -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - -
最大集电极电流 (IC) 0.04 A - 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.1 A -
基于收集器的最大容量 0.4 pF - 0.4 pF 0.4 pF 0.4 pF 0.8 pF -
集电极-发射极最大电压 5 V - 5 V 5 V 5 V 5 V -
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS - SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS -
最高频带 L BAND - L BAND L BAND L BAND L BAND -
JESD-30 代码 R-PDSO-F6 - R-PDSO-F6 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6 R-PDSO-F6 -
JESD-609代码 e6 - e0 e6 e0 - -
元件数量 2 - 2 2 2 2 -
端子数量 6 - 6 6 6 6 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
极性/信道类型 NPN - NPN NPN NPN NPN -
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES - YES YES YES YES -
端子面层 TIN BISMUTH - TIN LEAD TIN BISMUTH TIN LEAD - -
端子形式 FLAT - FLAT FLAT FLAT FLAT -
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - -
晶体管应用 AMPLIFIER - AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER - -
晶体管元件材料 SILICON GERMANIUM - SILICON GERMANIUM SILICON GERMANIUM SILICON GERMANIUM SILICON GERMANIUM -
标称过渡频率 (fT) 18000 MHz - 18000 MHz 18000 MHz 18000 MHz 6500 MHz -
Base Number Matches 1 - 1 1 1 1 -

 
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