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BYV52-150

产品描述30A, 150V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小116KB,共4页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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BYV52-150概述

30A, 150V, SILICON, RECTIFIER DIODE

BYV52-150规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Base Number Matches1

BYV52-150相似产品对比

BYV52-150 BYV52-100 BYV52-50
描述 30A, 150V, SILICON, RECTIFIER DIODE 30A, 100V, SILICON, RECTIFIER DIODE 30A, 50V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
包装说明 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
Base Number Matches 1 1 -
应用 - EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 - CATHODE CATHODE
配置 - COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 - SILICON SILICON
二极管类型 - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) - 1 V 1 V
JESD-30 代码 - R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流 - 500 A 500 A
元件数量 - 2 2
相数 - 1 1
端子数量 - 3 3
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
最低工作温度 - -40 °C -40 °C
最大输出电流 - 30 A 30 A
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
最大功率耗散 - 46 W 46 W
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 - 100 V 50 V
最大反向电流 - 25 µA 25 µA
最大反向恢复时间 - 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 - NO NO
端子形式 - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 - SINGLE SINGLE

 
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