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KM6164002BJI-10

产品描述Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
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文件大小398KB,共7页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM6164002BJI-10概述

Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44

KM6164002BJI-10规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ44,.44
针数44
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间10 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J44
JESD-609代码e0
长度28.58 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量44
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ44,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.76 mm
最大待机电流0.01 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

KM6164002BJI-10相似产品对比

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描述 Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 SOJ TSOP2 SOJ TSOP2 TSOP2
包装说明 SOJ, SOJ44,.44 TSOP2, TSOP44,.46,32 SOJ, SOJ44,.44 TSOP2, TSOP44,.46,32 TSOP2, TSOP44,.46,32
针数 44 44 44 44 44
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 10 ns 12 ns 12 ns 10 ns 15 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J44 R-PDSO-G44 R-PDSO-J44 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
长度 28.58 mm 18.41 mm 28.58 mm 18.41 mm 18.41 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 44 44 44 44 44
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 256KX16 256KX16 256KX16 256KX16 256KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ TSOP2 SOJ TSOP2 TSOP2
封装等效代码 SOJ44,.44 TSOP44,.46,32 SOJ44,.44 TSOP44,.46,32 TSOP44,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.76 mm 1.2 mm 3.76 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大待机电流 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.25 mA 0.24 mA 0.24 mA 0.25 mA 0.23 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND GULL WING J BEND GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 0.8 mm 1.27 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
厂商名称 SAMSUNG(三星) - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
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