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IC62LV256-100T

产品描述RES 82.5 OHM 1% 1206 1110-0820
产品类别存储    存储   
文件大小83KB,共9页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
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IC62LV256-100T概述

RES 82.5 OHM 1% 1206 1110-0820

IC62LV256-100T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ISSI(芯成半导体)
包装说明8 X 13.40 MM, TSOP1-28
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间100 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP28,.53,22
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00009 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.55 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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