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2SC5915

产品描述Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, SMP-FD, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小47KB,共4页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SC5915概述

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, SMP-FD, 3 PIN

2SC5915规格参数

参数名称属性值
Objectid1965912686
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz

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注文コード No. N 7 4 0 8
2SC5915
No.
N 7 4 0 8
13003
2SC5915
用途
特長
・MBIT プロセス採用。
NPN エピタキシァルプレーナ½シリコントランジスタ
大電流スイッチング用
・リレードライブ , ランプドライブ , モータドライブ , インバータ。
・電流容量が大きい。
・コレクタ・エミッタ½和電圧が½い。
・スイッチングスピードが速い。
・面実装に対応。
絶対最大定格
Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
コレクタ・ベース電圧
コレクタ・エミッタ電圧
コレクタ・エミッタ電圧
エミッタ・ベース電圧
コレクタ電流
コレクタ電流 (パルス)
ベース電流
コレクタ損失
接合部温度
保存周囲温度
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tc=25℃
Tj
Tstg
120
120
50
6
10
15
2
1.65
25
150
− 55 ∼+ 150
min
typ
unit
V
V
V
V
A
A
A
W
W
max
10
10
560
unit
µA
µA
電気的特性
Electrical Characteristics / Ta=25℃
VCB=40V, IE=0
コレクタしゃ断電流
ICBO
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
IEBO
hFE1
hFE2
VEB=4V, IC=0
VCE=2V, IC=1A
VCE=2V, IC=5A
200
100
次ページへ続く。
外½図 2069C
(unit : mm)
0.8
10.2
4.5
1.3
9.9
本書記載の½品は、極めて高度の信頼性を
要する用途
(生½維持装½、
航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途)
に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
本書記載の規格値(最大定格、動½条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて½用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
1.5max
8.8
3.0
2.55
1.2
2.55
1.35
1
0.8
2
3
0∼0.3
0.4
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : SMP-FD
2.55
2.55
〒370-0596 群馬県邑½郡大泉町坂田一丁目1番1号
13003 TS IM ◎½藤 TA-100348 No.7408-1/4
2.7
1.4

 
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