〈トランジスタ〉
開発中（暫定）
概 要
2SC5882は超小½外½樹脂封止½シリコンNPNエピタキ
シァル½トランジスタで、独自の高周波プロセスを½用するこ
とにより、極めて高い½T,½いＮＦを実現しています。
また、超薄型(0.45mm)フラットリードタイプパッケージのた
め、セットの小型化、高密度実装が可½となります。
2SC5882
高周波増幅用
シリコンNPNエピタキシァル½
本品種は開発中につき後日変更する場合があります。
外 ½ 図
単½:mm
0.2
0.8
0.2
特 長
・超薄型(0.45mm)フラットリードタイプパッケージのため、
セットの小型化、高密度実装が可½。
・½Tが高い。½T＝4.5GHz標準。
・½雑音,高利得。
・½電圧での動½が可½。
1
2
3
用 途
TVチューナー，通信機，携帯電話等
最大定格 (Ta=25℃)
記 号
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
1
2
3
項 目
コレクタ・ベ−ス間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベ−ス間電圧
コレクタ電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
定格値
20
12
3
50
80
+125
-55∼+125
単½
V
V
V
mA
mW
℃
℃
電極接続
: ベ−ス
: エミッタ
: コレクタ
EIJA:
P
C
T
j
T
stg
電気的特性 (Ta=25℃)
記 号
I
I
CBO
EBO
項 目
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
順方向伝達利得
雑音指数
測 定 条 件
最小
特性値
標準
最大
単½
1.0
1.0
μA
μA
GHz
pF
dB
dB
V
CB
=10V, I
E
=0mA
V
EB
=1V, I
C
=0mA
V
CE
=5V, I
C
=20mA
V
CE
=5V, I
E
=20mA
V
CB
=5V, I
E
=0mA, f=1MHz
V
CE
=5V, I
C
=20mA, f=1GHz
V
CE
=5V, I
C
=5mA, f=1GHz
7.5
50
4.5
1.0
9.0
1.5
h
FE
f
T
C
ob
½S
21
½
2
NF
250
営業本部営業企画部
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長崎県諌早市津久葉町
6-41
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2002
年
11
月½成
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