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IXFT6N100F: 产品描述6 A, 1000 V, 1.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小103KB，共2页; 制造商IXYS ( Littelfuse ); 官网地址http://www.ixys.com/

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6 A, 1000 V, 1.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247

6 A, 1000 V, 1.9 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-247

	IXFT6N100F	6N100F
描述	6 A, 1000 V, 1.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247	6 A, 1000 V, 1.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
端子数量	3	3
最小击穿电压	1000 V	1000 V
加工封装描述	塑料 PACKAGE-3	塑料 PACKAGE-3
无铅	Yes	Yes
欧盟RoHS规范	Yes	Yes
状态	ACTIVE	ACTIVE
包装形状	矩形的	矩形的
包装尺寸	凸缘安装	凸缘安装
端子形式	THROUGH-孔	THROUGH-孔
端子涂层	锡银铜	锡银铜
端子位置	单一的	单一的
包装材料	塑料/环氧树脂	塑料/环氧树脂
结构	单一的 WITH BUILT-IN 二极管	单一的 WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接	DRAIN	DRAIN
元件数量	1	1
晶体管应用	开关	开关
晶体管元件材料	硅	硅
通道类型	N沟道	N沟道
场效应晶体管技术	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR	金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT	ENHANCEMENT
晶体管类型	通用电源	通用电源
最大漏电流	6 A	6 A
额定雪崩能量	700 mJ	700 mJ
最大漏极导通电阻	1.9 ohm	1.9 ohm
最大漏电流脉冲	24 A	24 A

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY