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HYS64T32000KM-5-A

产品描述Double-Data-Rate-Two SDRAM Micro-DIMM
产品类别存储    存储   
文件大小576KB,共31页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYS64T32000KM-5-A概述

Double-Data-Rate-Two SDRAM Micro-DIMM

HYS64T32000KM-5-A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM214,16
针数214
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间0.6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N214
内存密度2147483648 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量214
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度65 °C
最低工作温度
组织32MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM214,16
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大待机电流0.016 A
最大压摆率0.84 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.4 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1
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