HYS64D64000GU-8-A,HYS64D64000GU-8-A pdf中文资料,HYS64D64000GU-8-A引脚图,HYS64D64000GU-8-A电路-Datasheet-电子工程世界

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HYS64D64000GU-8-A: 产品描述2.5 V 184-pin Unbuffered DDR-I SDRAM Modules; 产品类别存储存储; 文件大小155KB，共18页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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HYS64D64000GU-8-A概述

2.5 V 184-pin Unbuffered DDR-I SDRAM Modules

HYS64D64000GU-8-A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184
针数	184
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.8 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	125 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184
内存密度	4294967296 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	184
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.096 A
最大压摆率	2.8 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

HYS64D64000GU-8-A相似产品对比

	HYS64D64000GU-8-A	HYS64D128020GU-8-A	0936010170	HYS64D128320GU-6-A	HYS64D64000GU-7-A	HYS72D128020GU-8-A	HYS72D128020GU-7-A	HYS72D128320GU-6-A	HYS72D64000GU-8-A	HYS72D64000GU-7-A
描述	2.5 V 184-pin Unbuffered DDR-I SDRAM Modules	2.5 V 184-pin Unbuffered DDR-I SDRAM Modules	GWconnect Turned Crimp Contact for 16A Inserts and Modules, Female, Gold (Au) Plated Copper Alloy, 0.75mm² (18 AWG), 100 per Bag	2.5 V 184-pin Unbuffered DDR-I SDRAM Modules	2.5 V 184-pin Unbuffered DDR-I SDRAM Modules	2.5 V 184-pin Unbuffered DDR-I SDRAM Modules	2.5 V 184-pin Unbuffered DDR-I SDRAM Modules	2.5 V 184-pin Unbuffered DDR-I SDRAM Modules	2.5 V 184-pin Unbuffered DDR-I SDRAM Modules	2.5 V 184-pin Unbuffered DDR-I SDRAM Modules
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合	不符合	不符合	-	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	-	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	-	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	DIMM	DIMM	-	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	-	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184
针数	184	184	-	184	184	184	184	184	184	184
Reach Compliance Code	compli	compli	-	compli	compli	compli	unknow	compli	compli	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	-	DUAL BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.8 ns	0.8 ns	-	0.7 ns	0.75 ns	0.8 ns	0.75 ns	0.7 ns	0.8 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	125 MHz	125 MHz	-	166 MHz	143 MHz	125 MHz	143 MHz	166 MHz	125 MHz	143 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	-	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
内存密度	4294967296 bi	8589934592 bi	-	8589934592 bi	4294967296 bi	9663676416 bi	9663676416 bi	9663676416 bi	4831838208 bi	4831838208 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	-	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64	-	64	64	72	72	72	72	72
功能数量	1	1	-	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	-	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	184	184	-	184	184	184	184	184	184	184
字数	67108864 words	134217728 words	-	134217728 words	67108864 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	128000000	-	128000000	64000000	128000000	128000000	128000000	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64MX64	128MX64	-	128MX64	64MX64	128MX72	128MX72	128MX72	64MX72	64MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	-	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM184	DIMM184	-	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	2.5 V	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	-	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.096 A	0.192 A	-	0.288 A	0.112 A	-	-	-	0.108 A	0.126 A
最大压摆率	2.8 mA	3.2 mA	-	3.84 mA	3.04 mA	3.6 mA	4.05 mA	4.32 mA	3.15 mA	3.42 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	-	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	-	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	-	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	-	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	-	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

HYS64D64000GU-8-A

HYS64D64000GU-8-A概述

HYS64D64000GU-8-A规格参数

HYS64D64000GU-8-A相似产品对比

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