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HYMP532S64P6-C4

产品描述32M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, ZMA200
产品类别存储    存储   
文件大小767KB,共23页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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HYMP532S64P6-C4概述

32M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, ZMA200

32M × 64 动态随机存取内存模块, 0.5 ns, ZMA200

HYMP532S64P6-C4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM200,24
针数200
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间0.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)267 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XZMA-N200
JESD-609代码e1
内存密度2147483648 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度55 °C
最低工作温度
组织32MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM200,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大压摆率1.34 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间20
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