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FQU3N60TU

产品描述2.4A, 600V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共12页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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FQU3N60TU在线购买

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FQU3N60TU概述

2.4A, 600V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3

FQU3N60TU规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码TO-251
包装说明IPAK-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)200 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)2.4 A
最大漏源导通电阻3.6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级NOT APPLICABLE
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)9.6 A
认证状态COMMERCIAL
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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