2.4A, 600V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
厂商名称 | Rochester Electronics |
零件包装代码 | TO-251 |
包装说明 | IPAK-3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
雪崩能效等级(Eas) | 200 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V |
最大漏极电流 (ID) | 2.4 A |
最大漏源导通电阻 | 3.6 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-251 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | NOT APPLICABLE |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 9.6 A |
认证状态 | COMMERCIAL |
表面贴装 | NO |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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