262,144 BIT DYNAMIC RAM
| HYB41256 | HYB41256-10 | HYB41256-12 | HYB41256-15 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM | 262,144 BIT DYNAMIC RAM | 262,144 BIT DYNAMIC RAM | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| 厂商名称 | - | SIEMENS | SIEMENS | SIEMENS |
| Reach Compliance Code | - | unknow | unknow | unknow |
| ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | - | PAGE | PAGE | PAGE |
| 最长访问时间 | - | 100 ns | 120 ns | 150 ns |
| 其他特性 | - | RAS ONLY/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/HIDDEN REFRESH |
| JESD-30 代码 | - | R-PDIP-T16 | R-PDIP-T16 | R-PDIP-T16 |
| 内存密度 | - | 262144 bi | 262144 bi | 262144 bi |
| 内存集成电路类型 | - | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度 | - | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | - | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | - | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | - | 16 | 16 | 16 |
| 字数 | - | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
| 字数代码 | - | 256000 | 256000 | 256000 |
| 工作模式 | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | - | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | - | 256KX1 | 256KX1 | 256KX1 |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | - | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | - | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | - | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | - | NO | NO | NO |
| 技术 | - | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | - | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | - | DUAL | DUAL | DUAL |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
