Flash, 32KX8, 65ns, CDIP28, 0.600 X 1.400 INCH, 0.100 INCH PITCH, DIP-28
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Cobham Semiconductor Solutions |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.1.A |
| 最长访问时间 | 65 ns |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T28 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 35.56 mm |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 32KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 编程电压 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class Q |
| 座面最大高度 | 4.445 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | GOLD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 总剂量 | 500k Rad(Si) V |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 15.24 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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