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TIM7179-8UL

产品描述MICROWAVE POWER GaAs FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小68KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TIM7179-8UL概述

MICROWAVE POWER GaAs FET

TIM7179-8UL规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明HERMETIC SEALED, 2-11D1B, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time20 weeks
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压15 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)7 A
最大漏极电流 (ID)7 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带C BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值37.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
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