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3LN02C: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CP, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小37KB，共4页; 制造商SANYO; 官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html

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3LN02C概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CP, 3 PIN

参数名称	属性值
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.3 A
最大漏极电流 (ID)	0.3 A
最大漏源导通电阻	1.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.25 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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