HYB3116400BT-50,HYB3116400BT-50 pdf中文资料,HYB3116400BT-50引脚图,HYB3116400BT-50电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYB3116400BT-50

HYB3116400BT-50: 产品描述3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM; 产品类别存储存储; 文件大小255KB，共26页; 制造商SIEMENS; 官网地址http://www.infineon.com/

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HYB3116400BT-50概述

3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM

HYB3116400BT-50规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SIEMENS
零件包装代码	TSOP
包装说明	,
针数	26
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G26
内存密度	16777216 bi
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	26
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL

HYB3116400BT-50相似产品对比

	HYB3116400BT-50	RT9011-PPPJ6	HYB3117400BJ-50	HYB3117400BJ-60	HYB3117400BJ-70	HYB3117400BT-50	MM1Z36	HYB3117400BT-70	HYB316400BTL-50
描述	3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM	Portable Power Management 300mA Dual LDO Regulator	3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM	3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM	3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM	3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM	500mW Silicon Planar Zener Diodes	3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM	3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM
厂商名称	SIEMENS	-	-	SIEMENS	SIEMENS	SIEMENS	-	SIEMENS	-
Reach Compliance Code	unknow	-	unknown	unknow	unknow	unknow	-	unknow	-
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	-
访问模式	FAST PAGE	-	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	-	FAST PAGE	-
最长访问时间	50 ns	-	50 ns	60 ns	70 ns	50 ns	-	70 ns	-
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	-	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	-	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	-
JESD-30 代码	R-PDSO-G26	-	R-PDSO-J26	R-PDSO-J26	R-PDSO-J24	R-PDSO-G40	-	R-PDSO-G24	-
内存密度	16777216 bi	-	16777216 bit	16777216 bi	16777216 bi	16777216 bi	-	16777216 bi	-
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM	-	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	-	FAST PAGE DRAM	-
内存宽度	4	-	4	4	4	4	-	4	-
功能数量	1	-	1	1	1	1	-	1	-
端口数量	1	-	1	1	1	1	-	1	-
端子数量	26	-	26	26	24	40	-	24	-
字数	4194304 words	-	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	-	4194304 words	-
字数代码	4000000	-	4000000	4000000	4000000	4000000	-	4000000	-
工作模式	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	-
最高工作温度	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	-	70 °C	-
组织	4MX4	-	4MX4	4MX4	4MX4	4MX4	-	4MX4	-
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	-
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	-
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	-
刷新周期	4096	-	2048	2048	2048	2048	-	2048	-
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	-	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	-	3.6 V	-
最小供电电压 (Vsup)	3 V	-	3 V	3 V	3 V	3 V	-	3 V	-
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	-
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	YES	-	YES	-
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	-
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	-
端子形式	GULL WING	-	J BEND	J BEND	J BEND	GULL WING	-	GULL WING	-
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	-	DUAL	-

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