HYB3116160BST-70,HYB3116160BST-70 pdf中文资料,HYB3116160BST-70引脚图,HYB3116160BST-70电路-Datasheet-电子工程世界

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HYB3116160BST-70: 产品描述1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh; 产品类别存储存储; 文件大小259KB，共25页; 制造商SIEMENS; 官网地址http://www.infineon.com/

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HYB3116160BST-70概述

1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh

HYB3116160BST-70规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SIEMENS
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
内存密度	16777216 bi
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	44
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL

HYB3116160BST-70相似产品对比

	HYB3116160BST-70	HYB3116160BSJ	HYB3116160BSJ-50	HYB3116160BSJ-60	HYB3116160BSJ-70	HYB3116160BST-60	HYB3116160BST-50	HYB3118160BSJ-60	HYB3118160BST-60
描述	1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh	1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh	1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh	1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh	1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh	1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh	1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh	1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh	1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh
厂商名称	SIEMENS	-	SIEMENS	SIEMENS	SIEMENS	SIEMENS	SIEMENS	SIEMENS	SIEMENS
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE	-	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	70 ns	-	50 ns	60 ns	70 ns	60 ns	50 ns	60 ns	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	-	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	-	R-PDSO-J42	R-PDSO-J42	R-PDSO-J42	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-J42	R-PDSO-G44
内存密度	16777216 bi	-	16777216 bi	16777216 bi	16777216 bi	16777216 bi	16777216 bi	16777216 bi	16777216 bi
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM	-	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM
内存宽度	16	-	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	-	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	-	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	44	-	42	42	42	44	44	42	44
字数	1048576 words	-	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	-	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX16	-	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	-	4096	4096	4096	4096	4096	-	1024
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	-	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	-	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	-	J BEND	J BEND	J BEND	GULL WING	GULL WING	J BEND	GULL WING
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

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