Cache SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, PDSO28
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 包装说明 | SOJ, SOJ28,.44 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
| 最长访问时间 | 20 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 256KX4 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ |
| 封装等效代码 | SOJ28,.44 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.02 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.12 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
| AP9A102B-20VI | AP9A102B-20VC | |
|---|---|---|
| 描述 | Cache SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, PDSO28 | Cache SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, PDSO28 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 包装说明 | SOJ, SOJ28,.44 | SOJ, SOJ28,.44 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B |
| 最长访问时间 | 20 ns | 20 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J28 | R-PDSO-J28 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 4 | 4 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 28 | 28 |
| 字数 | 262144 words | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 70 °C |
| 组织 | 256KX4 | 256KX4 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | YES | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ | SOJ |
| 封装等效代码 | SOJ28,.44 | SOJ28,.44 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.02 A | 0.015 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.12 mA | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
