2141-2B概述

Standard SRAM, 4KX1, 120ns, MOS, PDIP18

2141-2B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	California Micro Devices
包装说明	DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	120 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDIP-T18
JESD-609代码	e0
内存密度	4096 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
端子数量	18
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS
组织	4KX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.02 A
最大压摆率	0.07 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	MOS
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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描述	Standard SRAM, 4KX1, 120ns, MOS, PDIP18	Standard SRAM, 4KX1, 250ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 4KX1, 250ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 4KX1, 150ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 4KX1, 200ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 4KX1, 200ns, MOS, PDIP18	Standard SRAM, 4KX1, 250ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 4KX1, 150ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 4KX1, 200ns, MOS, CDIP18
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	California Micro Devices	California Micro Devices	California Micro Devices	California Micro Devices	California Micro Devices	California Micro Devices	California Micro Devices	California Micro Devices	California Micro Devices
包装说明	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow	unknow
最长访问时间	120 ns	250 ns	250 ns	150 ns	200 ns	200 ns	250 ns	150 ns	200 ns
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-PDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bi	4096 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	18	18	18	18	18	18	18	18	18
字数	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words
字数代码	4000	4000	4000	4000	4000	4000	4000	4000	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
组织	4KX1	4KX1	4KX1	4KX1	4KX1	4KX1	4KX1	4KX1	4KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.02 A	0.012 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.02 A	0.012 A
最大压摆率	0.07 mA	0.055 mA	0.04 mA	0.04 mA	0.04 mA	0.04 mA	0.04 mA	0.07 mA	0.055 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	-	-

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