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IDT71V519S50PF

产品描述Standard SRAM, 64KX18, 12ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
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文件大小559KB,共15页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71V519S50PF概述

Standard SRAM, 64KX18, 12ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

IDT71V519S50PF规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明PLASTIC, TQFP-100
针数100
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间12 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度1179648 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量100
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX18
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.63X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.009 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.185 mA
最大供电电压 (Vsup)3.63 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm
Base Number Matches1

IDT71V519S50PF相似产品对比

IDT71V519S50PF IDT71V519S60PF IDT71V519S75PF IDT71V519S66PF
描述 Standard SRAM, 64KX18, 12ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 Standard SRAM, 64KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 Standard SRAM, 64KX18, 8ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 Standard SRAM, 64KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP
包装说明 PLASTIC, TQFP-100 PLASTIC, TQFP-100 PLASTIC, TQFP-100 PLASTIC, TQFP-100
针数 100 100 100 100
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 12 ns 10 ns 8 ns 9 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 1179648 bit 1179648 bit 1179648 bit 1179648 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 18 18 18 18
湿度敏感等级 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 100 100 100 100
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX18 64KX18 64KX18 64KX18
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP LQFP LQFP LQFP
封装等效代码 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 240 240
电源 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大待机电流 0.009 A 0.009 A 0.009 A 0.009 A
最小待机电流 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 0.185 mA 0.2 mA 0.21 mA 0.205 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 20 20
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
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