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HYB25D256160BCL-8

产品描述256 Mbit Double Data Rate SDRAM
产品类别存储    存储   
文件大小3MB,共83页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYB25D256160BCL-8概述

256 Mbit Double Data Rate SDRAM

HYB25D256160BCL-8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码BGA
包装说明12 X 8 MM, PLASTIC, TFBGA-60
针数60
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.8 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)125 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
JESD-609代码e0
长度12 mm
内存密度268435456 bi
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA60,9X12,40/32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.007 A
最大压摆率0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm

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Data Sheet, Rev. 1.2, Feb. 2004
HYB25D256400B[T/C](L)
HYB25D256800B[T/C](L)
HYB25D256160B[T/C](L)
256 Mbit Double Data Rate SDRAM
DDR SDRAM
Memory Products
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