5962-9213203MVX概述

Fast Page DRAM, 64KX4, 150ns, CMOS, CDIP18, 0.400 INCH, CERAMIC, DIP-18

5962-9213203MVX规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Micross
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	18
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	150 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-CDIP-T18
JESD-609代码	e0
长度	22.86 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	18
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	64KX4
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883
座面最大高度	3.93 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

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	5962-9213203MVX	5962-9213201MYX	5962-9213202MYX	5962-9213203MXX	5962-9213201MXX	5962-9213203MYX	5962-9213202MVX	5962-9213201MVX
描述	Fast Page DRAM, 64KX4, 150ns, CMOS, CDIP18, 0.400 INCH, CERAMIC, DIP-18	Fast Page DRAM, 64KX4, 100ns, CMOS, CQCC18, CERAMIC, LCC-18	Fast Page DRAM, 64KX4, 120ns, CMOS, CQCC18, CERAMIC, LCC-18	Fast Page DRAM, 64KX4, 150ns, CMOS, CQCC18, CERAMIC, LCC-18	Fast Page DRAM, 64KX4, 100ns, CMOS, CQCC18, CERAMIC, LCC-18	Fast Page DRAM, 64KX4, 150ns, CMOS, CQCC18, CERAMIC, LCC-18	Fast Page DRAM, 64KX4, 120ns, CMOS, CDIP18	Fast Page DRAM, 64KX4, 100ns, CMOS, CDIP18, 0.400 INCH, CERAMIC, DIP-18
包装说明	DIP,	QCCN,	CERAMIC, LCC-18	QCCN,	QCCN,	QCCN,	DIP,	DIP,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	150 ns	100 ns	120 ns	150 ns	100 ns	150 ns	120 ns	100 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码	R-CDIP-T18	R-CQCC-N18	R-CQCC-N18	R-CQCC-N18	R-CQCC-N18	R-CQCC-N18	R-CDIP-T18	R-CDIP-T18
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
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字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	QCCN	QCCN	QCCN	QCCN	QCCN	DIP	DIP
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封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
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