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JANTX1N5632A

产品描述1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小159KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANTX1N5632A概述

1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13

JANTX1N5632A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DO-13
包装说明O-MALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大击穿电压9.55 V
最小击穿电压8.65 V
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-202AA
JESD-30 代码O-MALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500
最大重复峰值反向电压7.78 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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