Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.384 X 0.283 INCH, DIE
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | IXYS |
零件包装代码 | DIE |
包装说明 | 0.384 X 0.283 INCH, DIE |
Reach Compliance Code | compliant |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 500 V |
最大漏源导通电阻 | 1.05 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
元件数量 | 1 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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