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IXTD10P60-7B

产品描述Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.384 X 0.283 INCH, DIE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小39KB,共1页
制造商IXYS
标准
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IXTD10P60-7B概述

Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.384 X 0.283 INCH, DIE

IXTD10P60-7B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码DIE
包装说明0.384 X 0.283 INCH, DIE
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏源导通电阻1.05 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
元件数量1
工作模式ENHANCEMENT MODE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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