IRFZ40-012,IRFZ40-012 pdf中文资料,IRFZ40-012引脚图,IRFZ40-012电路-Datasheet-电子工程世界

IRFZ40-012: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小43KB，共1页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRFZ40-012概述

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	50 V
最大漏极电流 (ID)	50 A
最大漏源导通电阻	0.028 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	225
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	200 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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