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DS1330Y-IND

产品描述Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS
产品类别存储    存储   
文件大小55KB,共1页
制造商Maxim(美信半导体)
官网地址https://www.maximintegrated.com/en.html
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DS1330Y-IND概述

Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS

DS1330Y-IND规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Maxim(美信半导体)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
其他特性10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD
JESD-30 代码R-XDMA-N34
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量34
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

DS1330Y-IND相似产品对比

DS1330Y-IND DS1330AB-IND
描述 Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Maxim(美信半导体) Maxim(美信半导体)
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
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