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HYMD132645AL8-H

产品描述DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184
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文件大小235KB,共16页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HYMD132645AL8-H概述

DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184

HYMD132645AL8-H规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM184
针数184
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N184
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM184
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
最大待机电流0.32 A
最大压摆率2.8 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

HYMD132645AL8-H相似产品对比

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描述 DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184 DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184 DDR DRAM Module, 32MX64, 0.8ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184 DDR DRAM Module, 32MX64, 0.8ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184 DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184 DDR DRAM Module, 32MX64, 0.75ns, CMOS, 5.250 X 1.250 X 0.150 INCH, DIMM-184
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184
针数 184 184 184 184 184 184
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.75 ns 0.75 ns 0.8 ns 0.8 ns 0.75 ns 0.75 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 133 MHz 100 MHz 100 MHz 133 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184
内存密度 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 184 184 184 184 184 184
字数 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32MX64 32MX64 32MX64 32MX64 32MX64 32MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM184 DIMM184 DIMM184 DIMM184 DIMM184 DIMM184
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大待机电流 0.32 A 0.32 A 0.32 A 0.32 A 0.32 A 0.32 A
最大压摆率 2.8 mA 2.8 mA 2.4 mA 2.4 mA 2.8 mA 2.8 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
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